碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包含單晶材料、外延材料、器件、模塊和應(yīng)用這幾個(gè)環(huán)節(jié)。

碳化硅單晶是碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，質(zhì)量、大尺寸的碳化硅單晶材料是碳化硅技術(shù)發(fā)展首要解決的問題，持續(xù)增大晶圓尺寸、降低缺陷密度（微管、位錯(cuò)、層錯(cuò)等）是其重點(diǎn)發(fā)展方向。

碳化硅單晶材料主要有導(dǎo)通型襯底和半絕緣襯底兩種, 是第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)成熟度最高的材料，目前基本被國外企業(yè)壟斷。
 

高導(dǎo)通型襯底材料是制造碳化硅功率半導(dǎo)體器件的基材。半絕緣襯底具備高電阻的同時(shí)可以承受更高的頻率，因此在5G通訊和新一代智能互聯(lián)，傳感感應(yīng)器件上具備廣闊的應(yīng)用空間。

國內(nèi)主要碳化硅單晶襯底材料企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)已經(jīng)具備了成熟的4英寸零微管碳化硅單晶產(chǎn)品，并已經(jīng)研發(fā)出了6英寸單晶樣品，但是在晶體材料質(zhì)量和產(chǎn)業(yè)化能力方面距離國際先進(jìn)水平存在一定差距。

當(dāng)前，新一輪科技革命與產(chǎn)業(yè)變革蓄勢待發(fā)，全球新材料產(chǎn)業(yè)競爭格局正在進(jìn)行重大調(diào)整。未來五年，是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整、制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期。